セッション詳細
[17a-PB1-1~32]6.3 酸化物エレクトロニクス
2026年3月17日(火) 11:30 〜 13:00
PB1 (武道場 (B1F))
[17a-PB1-1]反強磁性絶縁体LaFeO3薄膜における交替磁性の光学的探索
〇(M1)葛堀 和也1、石田 一成1、塩貝 純一1,2、上田 浩平1,2,3、白土 優4,2,3、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大OTRIスピン、3.阪大CSRN、4.阪大工)
[17a-PB1-2]5d電子系酸化物CaIrO3薄膜における電流-スピン流変換
〇越智 菖1、上田 浩平1,2,3、塩貝 純一1,3、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大OTRIスピン)
[17a-PB1-3]放射光光電子分光によるLa0.7Sr0.3MnO3自立膜の電子状態
〇楊 景弘1、志賀 大亮1,2、井上 晴太郎1、早坂 亮太朗1、増竹 悠紀1、小澤 健一2、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)
[17a-PB1-5]真空紫外光照射による遷移金属酸化物エピタキシャル薄膜表面の構造・導電性制御
〇松田 晃史1、金子 健太1、喬 宇馳1、金子 智2,1 (1.東京科学大学、2.神奈川県産技総研)
[17a-PB1-7]大電力パルスマグネトロンスパッタを用いたIGZO薄膜トランジスタの作製と特性評価
永田 健人1、長縄 晴哉2、竹中 弘祐2、節原 裕一2、〇太田 貴之1 (1.名城大理工、2.阪大接合研)
[17a-PB1-8]LaNiO3/LaTiO3人工積層膜の作製と輸送特性
〇(M2)田中 智遍1、大森 晟矢1、塩貝 純一1,2、上田 浩平1,2,3、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大OTRIスピン、3.阪大CSRN)
[17a-PB1-9]パルスレーザー堆積法を用いたニッケル酸化物La4Ni3O10薄膜の作製
〇小谷 聡馬1、松本 凌2、櫃田 英治2,3、石田 洸希1、田上 大翔1、高野 義彦2,3、田中 博美1 (1.米子高専、2.NIMS、3.筑波大)
[17a-PB1-11]GTO薄膜のGa/Sn組成比におよぼす成膜温度の影響
〇(M1)豊岡 柊人1,2、高橋 勲2,3、松田 時宜1、金子 健太郎2,3 (1.近大院総理工、2.立命館大学総研、3.立命館大半導体応用研究センター)
[17a-PB1-14]電界下PLD法で成膜したマグネリ相チタン酸化物
〇後藤 颯太1、山口 博之1、小宮山 崇夫1、長南 安紀1、小谷 光司1、菅原 靖2、関根 崇2、杉山 重彰2 (1.秋田県立大、2.秋田産業技術センター)
[17a-PB1-16]室温での金属絶縁体転移発現に向けたCrドープV2O3薄膜の固相合成
〇(B)藤原 穣成1、木下 裕貴1、相馬 拓人1、大友 明1、吉松 公平1 (1.科学大物質理工)
[17a-PB1-17]基板バイアスを導入したRFマグネトロンスパッタ法によるTiO2(001)基板上VO2薄膜の作製と結晶性及び電気的特性の評価
〇工藤 圭介1、モハメッド シュルズ ミア1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)
[17a-PB1-21]超高温動作スイッチ実現に向けた高品質 NbO₂薄膜の作製と電界誘起スイッチング特性
〇(B)梅崎 麻弥1、李 好博1,2、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構)
[17a-PB1-22]β相MoO3単結晶薄膜のMBE成長とNafion電解質を用いたプロトンゲートFETへの応用
〇上林 優斗1、山本 勢那1、鶴山 大翔1、広藤 裕一1、廣芝 伸哉1、小池 一歩1 (1.大阪工大ナノ材研センタ)
[17a-PB1-23]熱処理を伴わない液相析出法によるH₂WO4•H₂O薄膜
の作製とエレクトロクロミック特性評価
〇(D)永田 佳大1、高田 薫子1、ヘルナンデス ホセ1、青井 芳史1 (1.龍谷大学先端理工)
[17a-PB1-24]液相析出法によるバナジウム酸化物薄膜の熱処理不要な室温合成とそのエレクトロクロミック特性
〇脊尾 莉奈1、永田 佳大1、ヘルナンデス ホセ1、青井 芳史1 (1.龍谷大先端理工)
[17a-PB1-32]Li4Ti5O12とCNFの複合化による電子伝導性の向上と充放電特性への効果
〇(M1C)西府 大斗1、小原 雅史1、佐々木 勇太1、野見山 輝明1、堀江 雄二1 (1.鹿児島大院理工)
