講演情報
[17a-PB1-18]ミストCVD法で成長させた二酸化バナジウムワイヤのMIT特性
〇加藤 真矢1、木内 颯人2、谷内 大飛2、久保 理1,2 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工)
キーワード：
二酸化バナジウム、ミストCVD
本発表ではミストCVD法を用いて750℃で蒸着した二酸化バナジウム薄膜上に成長する100µm程度のワイヤに注目し，元素組成とMIT特性を測定した結果を報告する．
測定の結果，ワイヤからはバナジウムと酸素に由来するスペクトルが得られた．
また，MIT特性については加熱時68℃，冷却時61℃で3桁の急激な抵抗変化が観測された．
測定の結果，ワイヤからはバナジウムと酸素に由来するスペクトルが得られた．
また，MIT特性については加熱時68℃，冷却時61℃で3桁の急激な抵抗変化が観測された．