講演情報
[17a-S4_202-3]La/B4C反射多層膜の成膜時Ar+加速電圧依存性
〇江島 丈雄1、中野 隆紀1、中村 亮介1、羽多野 忠1 (1.東北大)
キーワード：
反射多層膜、BEUV、イオンスパッタ
次世代半導体露光用として6.x nmのBEUV領域が提案されており、反射多層膜による反射型光学系が不可欠である。本研究では、反応性スパッタを要するLaN/B系に代わる材料として、熱力学的に安定なLaとB₄Cからなる反射多層膜に着目した。等厚1.72 nmで150周期積層した構造は、波長6.72 nm、直入射角15度で計算反射率0.74を示した。イオンビームスパッタ法により異なる加速電圧で成膜した試料のXRR測定から、周期構造は類似する一方、界面構造の違いが示唆された。反射率測定では明瞭な信号を得ることに成功した。