講演情報
[17a-S4_203-2]第一原理計算を用いたTiN表面の初期酸化過程の解析
―表面終端化構造およびN欠陥の影響―
〇松永 耀1、有馬 健太1、稲垣 耕司1 (1.阪大院工)
キーワード：
窒化チタン、第一原理計算、酸化
トランジスタの材料として注目されている窒化チタン(TiN)表面は、デバイス作製過程のウェットエッチングによって酸化膜を形成する。近年進行するnmスケールのデバイス微細化に対応するには、酸化膜の膜厚把握が必要不可欠である。本研究では、第一原理計算を用いて、TiN最表面の初期酸化過程の解析を行った。その結果、最表面で形成されたN原子の欠陥をOH基やO原子が埋めることで酸化が進行することが示唆された。