2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17a-S4_203-1~11]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2026年3月17日(火) 9:00 〜 12:00
S4_203 (南4号館)
座長：森 伸也(阪大)、 蓮沼 隆(筑波大)
9:00 〜 9:15

[17a-S4_203-1]X線および電子線PDF解析を用いたSi基板上アモルファスSiO2薄膜の構造評価手法の検討

〇伊藤 孝憲1、荻生 秀作1、浅田 敏広1、白又 勇士2,3、尾原 幸治3 (1.（株）日産アーク、2.（株）リガク、3.島根大)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[17a-S4_203-2]第一原理計算を用いたTiN表面の初期酸化過程の解析
―表面終端化構造およびN欠陥の影響―

〇松永 耀1、有馬 健太1、稲垣 耕司1 (1.阪大院工)
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9:30 〜 9:45英語発表

[17a-S4_203-3]Ar/N2 gas flow ratio dependence on the ferroelectric HfNx formation utilizing ECR-plasma sputtering

〇KANGBAI LI1, Shun-ichiro Ohmi1 (1.Science Tokyo)
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9:45 〜 10:00

[17a-S4_203-4]ZnSe/ZnS コア/シェル量子ドットの光学禁止帯幅のシェル厚依存性：強束縛近似による解析

〇Lim JIN HYONG1、森 伸也1 (1.阪大院工)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[17a-S4_203-5]MEMSデバイス作製のための
電解めっき膜制御に向けたパターン密度の検討

〇坂梨 航太1、栗岡 智行1、町田 克之1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、三宅 美博1、伊藤 浩之1、曽根 正人1 (1.東京科学大学)
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10:30 〜 10:45

[17a-S4_203-6]散逸・散乱過程を組み込んだ量子回路による非平衡量子輸送解析

〇相馬 聡文1 (1.神戸大院工)
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10:45 〜 11:00

[17a-S4_203-7]非平衡グリーン関数法を用いた1次元モデルにおける衝突電離のシミュレーション

〇孝岡 和真1、田中 一1,2、森 伸也1 (1.阪大工、2.関西学院)
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11:00 〜 11:15

[17a-S4_203-8](111)面ゲルマニウムダブルゲートMOSFETの移動度異方性の理論計算

〇福田 浩一1、服部 淳一1、前田 辰朗1 (1.産総研)
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11:15 〜 11:30

[17a-S4_203-9]汎用性向上を目的としたオンライン機械学習による3次元モンテカルロデバイスシミュレータの開発

〇(M1)大槻 勇介1、森 伸也1 (1.阪大工)
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11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[17a-S4_203-10]CFET SRAMにおけるソフトエラーのシミュレーション解析

〇(BC)Cierra Filbert Vanness1、鎌倉 良成1 (1.阪工大情)
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11:45 〜 12:00

[17a-S4_203-11]MOSFETのドレイン電流飽和に対する誤った解釈とその再考察

〇執行 直之1 (1.自由業)
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