[17a-S4_203-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17a-S4_203-1~11]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2026年3月17日(火) 9:00 〜 12:00

S4_203 (南4号館)

9:00 〜 9:15

[17a-S4_203-1]X線および電子線PDF解析を用いたSi基板上アモルファスSiO₂薄膜の構造評価手法の検討

〇伊藤孝憲¹、荻生秀作¹、浅田敏広¹、白又勇士^2,3、尾原幸治³ (1.（株）日産アーク、2.（株）リガク、3.島根大)

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[17a-S4_203-2]第一原理計算を用いたTiN表面の初期酸化過程の解析
―表面終端化構造およびN欠陥の影響―

〇松永耀¹、有馬健太¹、稲垣耕司¹ (1.阪大院工)

9:30 〜 9:45英語発表

[17a-S4_203-3]Ar/N₂ gas flow ratio dependence on the ferroelectric HfN_x formation utilizing ECR-plasma sputtering

〇KANGBAI LI¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Science Tokyo)

9:45 〜 10:00

[17a-S4_203-4]ZnSe/ZnS コア/シェル量子ドットの光学禁止帯幅のシェル厚依存性：強束縛近似による解析

〇Lim JIN HYONG¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[17a-S4_203-5]MEMSデバイス作製のための
電解めっき膜制御に向けたパターン密度の検討

〇坂梨航太¹、栗岡智行¹、町田克之¹、Chen Chun-Yi¹、Chang Tso-Fu Mark¹、三宅美博¹、伊藤浩之¹、曽根正人¹ (1.東京科学大学)

10:30 〜 10:45

[17a-S4_203-6]散逸・散乱過程を組み込んだ量子回路による非平衡量子輸送解析

〇相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

10:45 〜 11:00

[17a-S4_203-7]非平衡グリーン関数法を用いた1次元モデルにおける衝突電離のシミュレーション

〇孝岡和真¹、田中一^1,2、森伸也¹ (1.阪大工、2.関西学院)

11:00 〜 11:15

[17a-S4_203-8](111)面ゲルマニウムダブルゲートMOSFETの移動度異方性の理論計算

〇福田浩一¹、服部淳一¹、前田辰朗¹ (1.産総研)

11:15 〜 11:30

[17a-S4_203-9]汎用性向上を目的としたオンライン機械学習による3次元モンテカルロデバイスシミュレータの開発

〇(M1)大槻勇介¹、森伸也¹ (1.阪大工)

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[17a-S4_203-10]CFET SRAMにおけるソフトエラーのシミュレーション解析

〇(BC)Cierra Filbert Vanness¹、鎌倉良成¹ (1.阪工大情)

11:45 〜 12:00

[17a-S4_203-11]MOSFETのドレイン電流飽和に対する誤った解釈とその再考察

〇執行直之¹ (1.自由業)

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