[17a-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[17a-W8E_307-2] 窒素δドープGaAsナノワイヤの特徴的結晶構造変化

〇佐野 真浩^1,2、峰久 恵輔^1,2、杉原 貫太郎^1,2、橋本 英季^1,2、山下 雄大³、谷保 芳孝³、平間 一行³、熊倉 一英¹、石川 史太郎¹ (1.北大量集セ、2.北大情科院、3.NTT 物性研)

キーワード：

ナノワイヤ、分子線エピタキシー、δドーピング