2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17a-W8E_307-1~10]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2026年3月17日(火) 9:15 〜 12:00
W8E_307 (西8号館)
9:15 〜 9:30

[17a-W8E_307-1][第59回講演奨励賞受賞記念講演] ドロップレットエッチングを用いた99%の垂直収率とロット間再現性を有するSiOx/Si(111)ウエハ上GaAsナノワイヤの大面積成長

〇峰久 恵輔1、佐野 真浩1、後藤 拓翔1、中間 海音1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[17a-W8E_307-2]窒素δドープGaAsナノワイヤの特徴的結晶構造変化

〇佐野 真浩1,2、峰久 恵輔1,2、杉原 貫太郎1,2、橋本 英季1,2、山下 雄大3、谷保 芳孝3、平間 一行3、熊倉 一英1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ、2.北大情科院、3.NTT 物性研)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[17a-W8E_307-3]GaAs/GaNAs/GaAsコア－マルチシェルナノワイヤのGaNAsシェル膜厚による光学特性制御とその高品質成長

〇塩見 悠介1,2、佐野 真浩1,2、峰久 恵輔1,2、山下 雄大3、谷保 芳孝3、平間 一行3、熊倉 一英1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ、2.北大情科院、3.NTT物性研)
10:00 〜 10:15

[17a-W8E_307-4]GaAs/GaNAsBi/GaAsコア-マルチシェル量子井戸ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

〇塩田 佳史1,3、後藤 拓翔2,3、石川 史太郎3 (1.北大工、2.北大情科院、3.北大量集セ)
10:15 〜 10:30

[17a-W8E_307-5]MOVPE選択成長によるInP/AlInP コアマルチシェルナノワイヤ成長と発光ダイオードの作製

〇堀口 燿1,2、東 佑樹2、内田 凌聖2、谷山 慶太2、本久 順一2、冨岡 克広2 (1.北大工、2.量子集積センター)
10:45 〜 11:00

[17a-W8E_307-6]MBE成長したGaSbナノワイヤの電気的特性

〇(D)小松 颯1、赤堀 誠志1 (1.北陸先端大 ナノセ)
11:00 〜 11:15

[17a-W8E_307-7]〈111〉方位高歪みヘテロナノワイヤの2次高調波信号増強

〇章 国強1,2、滝口 雅人1,2、Siyu Chen1、Xuejun Xu1、後藤 秀樹1,3、眞田 治樹1 (1.NTT物性基礎研、2.NTTナノフォトセンタ、3.広島大)
11:15 〜 11:30

[17a-W8E_307-8]Lateral ART法及び選択再成長法によるSOI (001)基板上InP/InGaAsPダブルヘテロ構造LEDの作製

〇本間 寛弥1、藤井 拓郎1、杉山 弘樹1、開 達郎1、佐藤 具就1、松尾 慎治1 (1.NTT 先デ研)
11:30 〜 11:45

[17a-W8E_307-9]Ⅲ-Ⅴ族熱輻射発電デバイスの大面積化に向けたGaSb/GaPヘテロエピタキシー

〇(M1C)川崎 天聖1、嵯峨根 慶人1、長澤 一輝1、久野 倭1、大田 遵平1、山根 啓輔1 (1.豊橋技術科学大学)
11:45 〜 12:00

[17a-W8E_307-10]液滴エピタキシー法による(111)A面上の低密度・高対称InAs量子ドットの自己形成

〇間野 高明1、大竹 晃浩1、Kulesh Nikita1、Bolyachikin Anton1、門平 卓也1、林 侑介1、黒田 隆1 (1.NIMS)
カテゴリ一覧へ戻る