[17a-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:15 〜 10:30

[17a-W8E_307-5] MOVPE選択成長によるInP/AlInP コアマルチシェルナノワイヤ成長と発光ダイオードの作製

〇堀口 燿^1,2、東 佑樹²、内田 凌聖²、谷山 慶太²、本久 順一²、冨岡 克広² (1.北大工、2.量子集積センター)

キーワード：

MOCVD、nanowire、InP