講演情報
[17p-M_101-16]グラフェン/n-Siショットキー接合太陽電池における電流密度-電圧特性とインピーダンス分光特性
〇寺岡 真裕1、任 皓駿1 (1.弘大理工)
キーワード：
グラフェン、太陽電池、半導体
グラフェン/n-Siショットキー接合太陽電池（GSSC）では、劣化に伴い電流密度–電圧（J–V）特性がS字を描くように変形する現象(s-kink)が生じることが知られているが、その詳細な発現メカニズムは未解明である。本研究では、GSSCのJ–V特性におけるs-kinkと、光照射下インピーダンス分光特性におけるナイキストプロットとの間に明確な相関が観測された。講演当日は、この結果を基にs-kinkの発現メカニズムとGSSCの耐久性向上について議論する。