2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.2 グラフェン

[17p-M_101-1~18]17.2 グラフェン

2026年3月17日(火) 14:00 〜 19:00
M_101 (本館)
14:00 〜 14:30

[17p-M_101-1][第4回ダイバーシティ＆インクルージョン賞　女性研究者研究奨励賞　受賞記念講演] グラフェンCVD 成長の機構解明と高品質化

〇小川 友以1 (1.NTT物性研)
14:30 〜 14:45英語発表

[17p-M_101-2]In-situ Optical Observation of Bilayer Graphene Formation on Cu–Ni Alloy Catalysts during CVD

〇SHENGNAN WANG1, Yui Tamogami1, Yui Ogawa1, Yoshitaka Taniyasu1 (1.NTT Basic Research Laboratories, NTT, Inc.)
14:45 〜 15:00

[17p-M_101-3]絶縁体上へのグラフェンのスパッタ成膜手法における成膜温度の影響

〇菊名 吏穏1,2、中野 武雄1、村上 勝久2、長尾 昌善2、村田 博雅2 (1.成蹊大、2.産総研)
15:00 〜 15:15

[17p-M_101-4]酸化グラフェンの還元・構造修復に伴うグラフェン結晶成長機構の解析

〇神田 哲志1、山下 朋晃1、黒須 俊二2、花尻 達郎1,2、仁科 勇太3、根岸 良太1,2 (1.東洋大院理工、2.BN研究センター、3.岡山大)
15:15 〜 15:30英語発表

[17p-M_101-5]GNR arrays grown on periodic SiC nano surfaces by CVD

〇(DC)Sukran Kutlu1, ANTON VISIKOVSKIY1, TANAKA SATORU1,5, Kan Nakatsuji2, Fumio Komori2,3, Takushi Iimori3, Jo Onoda4 (1.Kyushu University, 2.Tokyo Inst. Tech, 3.Univ. Tokyo, 4.Univ. Teacher Edu. Fukuoka, 5.Taiwan Tech.)
15:30 〜 15:45

[17p-M_101-6]ナノ・フレーク状グラフェン内光起電力の積層依存性

〇芦野 慎1、金子 隼1、宮本 恭佑1、久保田 翔大1、林 啓治1 (1.金沢工大)
15:45 〜 16:00

[17p-M_101-7]六方晶窒化硼素に挟まれた単層グラフェンの電子状態解明

〇丸山 実那1、岡田 晋1 (1.筑波大学)
16:00 〜 16:15英語発表

[17p-M_101-8]Mesoscopic Interference of Rotated Spins in Graphene on High-Spin-Orbit-Coupling Substrates

〇Jonathan Paul Bird3, Kazushi Yokoi1, Ratchanok Somphonsane2, Harihara Ramamoorthy2, Nargess Arabchigavkani3, Jonas Fransson4, Kenji Watanabe5, Takashi Taniguchi5, Nobuyuki Aoki1 (1.Chiba Univ., 2.King Mongkut Univ., 3.Univ. at Buffalo, 4.Uppsala Univ., 5.NIMS)
16:15 〜 16:30

[17p-M_101-9]グラフェン/ナノスペーサ積層膜におけるフェルミ準位制御のスペーササイズ依存性

〇吉田 新之介1、井ノ上 泰輝1、小林 慶裕1 (1.阪大院工)
16:45 〜 17:00

[17p-M_101-10]磁性イオン液体を塗布したグラフェンの磁場によるキャリア密度制御

〇金井 康1、三輪 一元2、小野 新平1、千葉 大地1,3 (1.東北大、2.電中研、3.阪大産研)
17:00 〜 17:15

[17p-M_101-11]Pd修飾によるグラフェンの物性変化

〇鎌田 雅博1、田上 勝規2、宇佐見 護2、松井 朋裕1 (1.アンリツ先端研、2.アスムス)
17:15 〜 17:30

[17p-M_101-12]黒リン/グラフェンヘテロ構造を用いた赤外線メタサーフェス吸収体

〇福島 昌一郎1、嶋谷 政彰1、岩川 学1、小川 新平1 (1.三菱電機（株）)
17:30 〜 17:45

[17p-M_101-13]グラフェン-InGaAs PINヘテロ接合を用いた近赤外光検出

〇福島 昌一郎1、嶋谷 政彰1、岩川 学1、小川 新平1 (1.三菱電機（株）)
17:45 〜 18:00

[17p-M_101-14]裏面照射型グラフェン中波長赤外線イメージセンサにおける画素性能評価

〇嶋谷 政彰1、福島 昌一郎1、岩川 学1、小川 新平1 (1.三菱電機)
18:00 〜 18:15英語発表

[17p-M_101-15]Suspended Graphene Photodetector with asymmetric Metal contacts

〇(M2)Yiwei Yang1, Ryota Seki1, Rei Shuto1, Isao Morohashi2, Ya Zhang1 (1.Institute of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2.National Institute of Information and Communications Technology)
18:15 〜 18:30

[17p-M_101-16]グラフェン/n-Siショットキー接合太陽電池における電流密度-電圧特性とインピーダンス分光特性

〇寺岡 真裕1、任 皓駿1 (1.弘大理工)
18:30 〜 18:45

[17p-M_101-17]SiC上グラフェンガスセンサの大気曝露による熱脱離特性

〇南 雄太1、上田 淳也1、直井 美貴1、大野 恭秀1 (1.徳島大学)
18:45 〜 19:00

[17p-M_101-18]グラフェン層間ナノカーボンスペーサー挿入による非線形輸送特性誘起と物理リザバー応用

〇渡邊 颯人1、丁 明達1、田中 啓文2,3、宇佐美 雄生2,3、井ノ上 泰輝1、小林 慶裕1 (1.阪大院工、2.九工大院生命体工、3.九工大Neumorphセンター)
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