講演情報
[17p-M_101-7]六方晶窒化硼素に挟まれた単層グラフェンの電子状態解明
〇丸山 実那1、岡田 晋1 (1.筑波大学)
キーワード：
グラフェン、ヘテロ構造、六方晶窒化硼素
本講演では、密度汎関数理論を用いて、単層hBNに挟まれた単層グラフェンの電子状態の積層構造依存性を明らかにする。計算の結果、hBNに挟まれた単層グラフェンの電子状態はサンドイッチ構造に依存することが明らかになった。グラフェンをhBN間で面内方向にずらすと、グラフェンのK点バンドギャップの大きさが連続的に変調する。すなわち、hBNは内包された原子層物質の低エネルギー電子状態に対して有意な変調を誘起することを示した。