講演情報
[17p-M_124-2]電子線照射によるSn系ペロブスカイトへの構造変化に及ぼす影響
〇嶋田 雄介1、陳 佳昕1、関口 尚夢1、王 青1、飯久保 智1 (1.九大総理工)
キーワード：
ペロブスカイト太陽電池、低照射量電子顕微鏡観察
有機無機ペロブスカイトの原子構造評価を目的として、Sn 系ペロブスカイト FASnI₃ に対し低電子線量条件で TEM 観察を行い、電子線照射による構造変化を検討した。120 kV において 3.0 e⁻Å⁻² では明瞭な回折パターンが得られたが、照射量の増加に伴い回折ピークはブロード化し、38 e⁻Å⁻² ではアモルファス化が確認された。特に超格子反射の減衰が顕著であり、電子線照射に伴う結晶秩序の低下や分解挙動の可能性が示唆された。