[17p-M_278-1~16] 6.1 強誘電体薄膜

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[17p-M_278-4] 下部電極層による歪みを利用したエピタキシャルPb(Zr, Ti)O₃薄膜の結晶構造制御

〇(D)中畑 美紀¹、石濱 圭佑²、江原 祥隆³、清水 荘雄⁴、Xie Lingling⁵、菅 大介⁵、山田 智明⁶、岡本 一輝¹、舟窪 浩¹ (1.科学大、2.東工大、3.防大、4.NIMS、5.京大、6.名古屋大)

キーワード：

ドメイン構造制御、PZT薄膜、Sr(Zr、Ti)O3 薄膜

強誘電体薄膜では基板や下部層との格子整合によりドメイン構造が制御され、強誘電特性に影響する。しかし、面内分極を有するa軸配向膜の作製には面内引張歪みを要し、Pb(Zr_x, Ti_1-x)O₃のZr比が高い組成では下部層材料が限られるため困難であった。本研究では、Sr(Zr_y, Ti_1-y)O₃バッファ層とLa–SrSnO₃・Ba_0.4Sr_0.6RuO₃下部電極を用いてPb(Zr_0.3 Ti_0.7)O₃薄膜に引張・圧縮歪みを誘起し、結晶およびドメイン構造の膜厚依存性を調査した。