[17p-M_278-1~16] 6.1 強誘電体薄膜

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[17p-M_278-8] µ-Transfer Printing法を用いた(111)/(-111)Pb(Zr_0.65Ti_0.35)O₃転写膜の特性評価

〇(M1)高橋 夏輝^1,2、村井 俊哉²、高 磊²、近藤 真矢¹、山田 智明¹ (1.名大工、2.産総研)

キーワード：

強誘電体、光メモリスタ、転写

本研究では、強誘電体Pb(Zr_0.65Ti_0.35)O₃ (PZT)薄膜の光デバイス応用に向けたシリコンプラットフォーム上への統合を目標とし、µ-トランスファープリンティング(µ-TP)法を用いたPZT薄膜のSi基板上への転写及び転写膜の特性評価を行った。µ-TP法で作製したPZT転写膜の結晶構造評価と電気特性評価から、剥離前後で結晶構造や強誘電性が維持されることが明らかとなり、PZT薄膜のシリコンプラットフォーム上への統合の可能性が示された。