講演情報
[17p-M_374-8]高積層世代3次元フラッシュメモリの課題に対する新規水平チャネル型フラッシュメモリ
〇小田 穣1 (1.キオクシア株式会社)
キーワード：
フラッシュメモリ、horizontal channel flash
世代とともに高積層化されてきた3次元フラッシュメモリでは、高積層化とともにセル電流が低下する課題がある。高積層化時にもセル電流劣化のない新規メモリ構造、horizontal channel flash (HCF)を提案し、その特性見積もりや課題について述べる。