講演情報
[17p-PB2-8]ハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物の構造と電子特性評価
〇(M2)初見 孝稀1,2、緒方 啓典1,2,3、見附 孝一郎3、金沢 育三3 (1.法政大院理工研、2.法政大生命科学、3.法政大マイクロ・ナノ研)
キーワード:
半導体、電気物性、ペロブスカイト
ハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物であるMAGeI3, FAGeI3, CsGeI3は三方晶系(R3m)であるため、高対称相からの対称性低下に伴い、秩序変数が三回軸方向に立つことで極性歪みが導入される。その結果、3m対称性の下では面内(a,b)と三回軸方向(c)で等価性が分かれ、主としてc軸方向の一軸歪み成分が電場や内部状態に応答して現れる。本研究では、c軸方向の電気特性測定および構造評価により、輸送特性と格子応答の関係を検証する。
