講演情報

15:15 〜 15:30

[17p-S2_202-6]耐高温中性子検出器に向けたBGaNダイオードの膜厚依存性評価

〇工藤涼兵¹、小久保瑛斗²、都木克之³、岸下徹一⁴、櫻井良憲⁵、八島浩⁵、牧野高紘⁶、大島武⁶、本田善央⁷、天野浩⁷、井上翼^1,8、青木徹^1,3、中野貴之^1,3,8 (1.静大創造、2.名大院工、3.静大電研、4.高エネ研、5.京大複合研、6.量研、7.名大IMaSS、8.静大工)

BGaN、中性子検出器、半導体