講演情報
[17p-S4_202-3]YbH2±x膜の作成とその特性
〇中村 修1,4、酒井 政道2、花尻 達郎3、栗田 満史1、薮田 久人4 (1.岡理大、2.埼大院理工学研科、3.東洋大バイオナノセンタ-、4.九大シス情)
キーワード：
希土類、水素、半導体
YbH2±x膜の試料は、石英ガラス基板上にスパッタ成膜したPt(5nm)/Yb(300nm)膜をガス置換可能な炉中でAr＋x%水素雰気(x:01%~3%)で温度250℃、30分保持して得られた。Ptの除去は、Arの逆スパッタにより行った。抵抗測定用の試料は表面酸化物の影響を避けるために、Pt除去前に簡易スパッタ装置でAu膜の電極パターンを形成して後に上述した方法でPtを除去して得られた。水素の割合が0.1%から3%と増加するにつれて、抵抗率は、およそ１Ω･cmから1000Ω･cmに増加する。