[17p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:15 〜 16:30

[17p-W2_401-10] 単結晶ダイヤモンド基板上へのGaNのRF-MBE成長

〇鹿野 義人¹、荒木 努²、出浦 桃子^1,3 (1.早大理工、2.立命館大理工、3.立命館大R-GIRO)

キーワード：

GaN、ダイヤモンド基板、RF-MBE