2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-W2_401-1~17]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年3月17日(火) 13:30 〜 18:30
W2_401 (西2号館)
13:30 〜 14:00

[17p-W2_401-1][大分類15「結晶工学」分科内招待講演] Naフラックス法で作製したGaNを種結晶とした酸化物気相成長

〇今西 正幸1、宇佐美 茂佳1、森 勇介1 (1.阪大院工)
14:00 〜 14:15

[17p-W2_401-2]THVPE法による ScAlMgO4 基板上 GaN成長における疑似 ELO の検討

〇(D)籾山 史奈1、中井 慧1、道端 健太1、村上 尚1 (1.東京農工大学院)
14:15 〜 14:30

[17p-W2_401-3]MOVPE成長条件がGaN中カーボン濃度に与える影響について

〇大川 和宏1、三宅 秀人1 (1.三重大工)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[17p-W2_401-4]有機金属気相成長を用いたGa極性からN極性へのGaNエピタキシャル極性反転プロセスの最適化

〇(M2)上田 佳奈子1、池田 和久2、谷口 貫太1、市川 聡3、山崎 順1,3、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.東京理科大院工、3.阪大電顕センター)
14:45 〜 15:00

[17p-W2_401-5]MOVPE法によるN極性面AlNテンプレート上へのN極性面GaNの結晶成長

〇(M1)藤原 魁土1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院創成科学)
15:00 〜 15:15

[17p-W2_401-6]高濃度 n 型 GaN 金属接触における量子注入下限抵抗率

〇上野 耕平1、岡部 耕平1、内藤 愛子1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
15:30 〜 15:45

[17p-W2_401-7]パルススパッタ法により成長した高濃度SiドープInGaNの構造・電気特性評価

〇上野 一真1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
15:45 〜 16:00

[17p-W2_401-8]グラフェン/SiC(0001)基板の表面形態が窒化物薄膜の結晶性に及ぼす影響

〇濱本 穂高1、竹本 圭佑1、図子 祐輔1、上野 耕平2、藤岡 洋2 (1.日産自動車、2.東大生研)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[17p-W2_401-9]RF-MBE 法で作製した Si(001)基板上窒化物半導体の
機械的・光学的特性評価及び物性良好な半導体の作製条件検討

〇(M2)澁田 彼方1、小柴 俊1、寺林 優1、秋山 英文2 (1.香川大院工、2.東京大学物性研)
16:15 〜 16:30

[17p-W2_401-10]単結晶ダイヤモンド基板上へのGaNのRF-MBE成長

〇鹿野 義人1、荒木 努2、出浦 桃子1,3 (1.早大理工、2.立命館大理工、3.立命館大R-GIRO)
16:30 〜 16:45

[17p-W2_401-11]RF-MBE選択成長法による-c面GaN上のGaNナノワイヤの作製

〇彦坂 康生1,2、関口 雅也1,2、本久 順一1,2 (1.北大情、2.量集センター)
16:45 〜 17:00

[17p-W2_401-12]RF-MBE選択成長法により形成したGaNナノワイヤを用いたショットキーバリアダイオードの作製と評価

〇関口 雅也1、彦坂 康生1、本久 順一1 (1.北大量集センター)
17:15 〜 17:30

[17p-W2_401-13][第59回講演奨励賞受賞記念講演] 誘導ラマン散乱顕微法によるGaN結晶中貫通転位の高速3Dイメージング

〇高橋 俊1、若本 裕介1、車 一宏2、前田 拓也1、小関 泰之1,2 (1.東大院工、2.先端研)
17:30 〜 17:45

[17p-W2_401-14]位相差顕微鏡によるGaN結晶中のa成分を有する貫通転位の非破壊検出

〇石川 由加里1、服部 亮2、姚 永昭1,3、勝部 大樹1、佐藤 功二1 (1.JFCC、2.セラミックフォーラム、3.三重大)
17:45 〜 18:00

[17p-W2_401-15]多波励起放射光X線トポグラフィーによるGaNバルク基板中の転位観察

〇姚 永昭1,3、大西 一生1、津坂 佳幸2、石川 由加里3 (1.三重大、2.兵県大院理、3.JFCC)
18:00 〜 18:15

[17p-W2_401-16]反射/透過配置放射光XRTを用いたGaN基板中の転位解析

〇大西 一生1、磯 憲司2、池田 宏隆2、津坂 佳幸3、姚 永昭1 (1.三重大ICSDF、2.三菱ケミカル、3.兵県大院理)
18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[17p-W2_401-17]透過電子顕微鏡による微小ピット層上N極性AlNの構造解析

〇(B)波多野 晴信1、大西 一生1、木本 大星2、岡田 成仁2、姚 永昭1 (1.三重大、2.山口大)
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