[17p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:30 〜 15:45

[17p-W2_401-7] パルススパッタ法により成長した高濃度SiドープInGaNの構造・電気特性評価

〇上野 一真¹、上野 耕平¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：

窒化物半導体、InGaN