[17p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[17p-W2_401-9] RF-MBE 法で作製した Si(001)基板上窒化物半導体の
機械的・光学的特性評価及び物性良好な半導体の作製条件検討

〇(M2)澁田 彼方¹、小柴 俊¹、寺林 優¹、秋山 英文² (1.香川大院工、2.東京大学物性研)

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ラマン散乱