[17p-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:00 〜 15:15

[17p-W8E_307-6] 高温動作に向けたco-doped InAs/GaAs量子ドットレーザにおけるn型およびp型ドーピング濃度の最適化

〇角田 雅弘¹、權 晋寛¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子)

キーワード：

量子ドット、分子線エピタキシー