セッション詳細
[17p-W8E_307-1~10]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2026年3月17日(火) 13:30 〜 16:15
W8E_307 (西8号館)
[17p-W8E_307-1]In-Flush法による1100nm帯InGaAs量子ドットの波長制御
〇畠山 大輝1、成毛 環美1、松本 秀樹1、西本 昌哉1、西 研一1、大西 裕1 (1.株式会社QDレーザ)
[17p-W8E_307-2]Influence of Mid-Cap Annealing on the Photoluminescence of InAs Quantum Dots on GaAs(001)
〇(P)Rhenish Simon1, Kazuki Koyama1, Ronel Christian Roca1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota Tech. Inst.)
[17p-W8E_307-3]Canny法の発展によるAFM像の基準表面形状の精密推定
〇奥泉 陽斗1、シモン レニッシュ1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工大)
[17p-W8E_307-4]GaAs 挿入層を導入したInP 基板上 InAs 量子ドットの光学異方性評価
〇(B)井上 博輝1、權 晋寛1、角田 雅弘1、松本 敦2、山本 直克2、赤羽 浩一2、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子、2.NICT)
[17p-W8E_307-5]大規模 AFM・PL データの統計解析による III-V 族量子ドットの形状と発光特性の相関
〇權 晋寛1、角田 雅弘1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
[17p-W8E_307-6]高温動作に向けたco-doped InAs/GaAs量子ドットレーザにおけるn型およびp型ドーピング濃度の最適化
〇角田 雅弘1、權 晋寛1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
[17p-W8E_307-7]カイネティック・ラフニング・ダイヤグラムにおける表面傾斜依存性
〇阿久津 典子1、寒川 義裕1 (1.九大応力研)
[17p-W8E_307-8]KPZ-likeカイネティック・ラフにおけるサブクラス、およびその表面起伏の特徴
〇阿久津 典子1、寒川 義裕1 (1.九大応力研)
[17p-W8E_307-9]気相成長するビフェニル結晶のステップダイナミクス
〇麻川 明俊1、中坪 俊一5、寺田 達二6、伊藤 望美6、上田 政洋6、勝野 弘康2、塚本 勝男7、柳谷 伸一郎4、本同 宏成3 (1.山口大工、2.金沢大学術メ、3.静岡県大食品、4.徳島大pLED研、5.JAXA-isis、6.山口大総合技、7.東北大理)
[17p-W8E_307-10]ビフェニル結晶の表面融解
〇麻川 明俊1、中坪 俊一5、寺田 達二6、上田 政洋6、伊藤 望美6、勝野 弘康2、塚本 勝男7、柳谷 伸一郎4、本同 宏成3 (1.山口大工、2.金沢大学術メ、3.静岡県大食品、4.徳島大pLED研、5.JAXA-isis、6.山口大総合技、7.東北大理)
