[17p-W9_324-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[17p-W9_324-12] MgOバッファ層を導入したサファイア基板上岩塩構造MgZnO薄膜の高温成長と光学特性

〇木村 航介¹、嶋 紘平²、松尾 浩一³、内田 浩二³、大野 篤史³、張 豪俊³、高橋 勲^4,5、秩父 重英²、金子 健太郎^4,5 (1.立命館大理工、2.東北大多元研、3.岩崎電気（株）、4.立命館大総研、5.立命館大半導体応用研)

キーワード：

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛、真空紫外、ミストCVD