セッション詳細

[17p-W9_324-1~16]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年3月17日(火) 13:30 〜 17:45
W9_324 (西9号館)

[17p-W9_324-1]ミストCVD法により成長したβ-Ga2O3薄膜のSi不純物の低減

〇磯部 優貴1、山本 裕貴2、若松 岳1、金子 健太郎3、藤田 静雄1、田中 勝久1 (1.京大、2.(株)オキサイド、3.立命館大)

[17p-W9_324-2]オフ基板を用いた双晶フリー(100)配向β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長

〇(D)是石 和樹1、吉松 公平1、大友 明1 (1.東京科学大)

[17p-W9_324-3]トリメチルガリウム分解・炭化水素燃焼機構の解明に基づく量産型MOVPE炉での高純度β-Ga2O3成長

〇寺内 悠真1、佐々木 捷悟2、吉永 純也1,3、瀧浪 欣彦4、石川 真人5、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.奈良女大、3.大陽日酸株式会社、4.カノマックスアナリティカル株式会社、5.気相成長株式会社)

[17p-W9_324-4]ミストCVD法によるSiドープβ-(InxGa1-x)2O3薄膜のエピタキシャル成長

〇(M1)齋藤 蒼生1、三宅 裕樹1,2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.ミライズ)

[17p-W9_324-5]プラズマ援用MBE成長した窒素ドープ(AlxGa1-x)2O3薄膜の構造特性評価

〇(M1)辻本 晃基1、上原 知起1、稲嶌 仁1、寺村 祐輔1、中岡 俊貴1、武田 翔真1、本田 智子1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)

[17p-W9_324-6]rf窒素プラズマを用いたβ-Ga2O3へのアクセプタ導入とALD成長

〇阿多 翔大1、古川 勝裕1、相馬 永1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.阪公立大工)

[17p-W9_324-7]EFG法による150 mm β-Ga2O3 (001)単結晶の育成

〇長谷川 将1、輿 公祥1、上田 悠貴1、佐々木 公平1、阪口 良一1、坂本 伊佐雄1、小西 敬太1、水井 誠1、山岡 優1、渡辺 信也1、倉又 朗人1 (1.NCT)

[17p-W9_324-8]κ-Ga2O3 薄膜を用いた GaN HEMT における 2DEG 濃度変調の検討

〇(M1)西川 未咲1、土居 晃1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1、牧山 剛三2、中田 健2 (1.大阪工大 ナノ材研、2.住友電気工業株式会社)

[17p-W9_324-9]HVPE成長β-Ga2O3 Schottky接合における障壁高さと金属の仕事関数の相関

〇幡山 英仁1、鐘ヶ江 一孝1、西中 浩之1 (1.京都工繊大)

[17p-W9_324-10]高温アニール処理がGa2O3薄膜のトラップ準位に及ぼす影響のDLOS評価

〇(M2)森原 淳1、垣尾 宗1、Ferreyra A. Romualdo1、吉永 純也2,3、上村 崇史4、熊谷 義直2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大院工、2.東京農工大院工、3.大陽日酸、4.情通機構)

[17p-W9_324-11]選択成長を用いて作製したα-Ga2O3導波路における光導波の観測

〇豊島 慶大1、神野 莉衣奈1、木津 良祐3、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生研、3.産総研)

[17p-W9_324-12]MgOバッファ層を導入したサファイア基板上岩塩構造MgZnO薄膜の高温成長と光学特性

〇木村 航介1、嶋 紘平2、松尾 浩一3、内田 浩二3、大野 篤史3、張 豪俊3、高橋 勲4,5、秩父 重英2、金子 健太郎4,5 (1.立命館大理工、2.東北大多元研、3.岩崎電気(株)、4.立命館大総研、5.立命館大半導体応用研)

[17p-W9_324-13]酸化物気相成長法によるルチル型GeO2の成長

〇(M1)中野 春流1、岸本 詠章1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、森 勇介1 (1.阪大院工)

[17p-W9_324-14](001) r-GeO2エピタキシャル薄膜の光学特性

〇島添 和樹1、石山 翔大1、西中 浩之2、鐘ケ江 一孝2、加藤 正史1 (1.名工大電気、2.京工繊大電子)

[17p-W9_324-15]Pt/Nb:SrTiO3 接合における光電流緩和の抵抗依存性とシナプス応用

〇(M2)村井 良輔1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)

[17p-W9_324-16]新規材料Li-doped MAO を用いたリチウムイオン電池用セパレータの保護膜開発

〇宇都 大樹1、安井 伸太郎2、永岡 章1,3、吉野 賢二1,3 (1.宮大院工、2.東京科学大、3.宮大GXセンター)