講演情報
[17p-W9_324-14](001) r-GeO2エピタキシャル薄膜の光学特性
〇島添 和樹1、石山 翔大1、西中 浩之2、鐘ケ江 一孝2、加藤 正史1 (1.名工大電気、2.京工繊大電子)
キーワード：
酸化ゲルマニウム、GeO2、ミストCVD
4.6 eVというバンドギャップ、pn両極ドーピングの理論予測、バルク単結晶が成長可能という点から、次々世代パワー半導体材料として注目されているr-GeO2の欠陥理解のために、光学特性を評価した。カソードルミネッセンス測定では紫外域から可視域にかけて複数のピークを観測した。本来禁制であるバンドギャップ付近の発光も観測された。フォノンの介在を経た発光、または等電子トラップでの発光などが原因として考えられるがその詳細は調査中である。