[17p-W9_324-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[17p-W9_324-4] ミストCVD法によるSiドープβ-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇(M1)齋藤 蒼生¹、三宅 裕樹^1,2、西中 浩之¹ (1.京工繊大、2.ミライズ)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD

現在主に研究されているβ-Ga₂O₃系HEMT構造はβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃であるが、より大きなバンドオフセットを得るためにβ-(In_xGa_1-x)₂O₃をチャネル層に用いる構造が注目されている。しかし、β-(In_xGa_1-x)₂O₃の高品質成長に関する報告は依然として少なく、HEMT応用に向けて物性の把握が不可欠である。本研究では、ミストCVD法を用いて電気特性の調査を行った。