[17p-WL2_401-1~14] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[17p-WL2_401-5] UV-NILリソグラフィを用いた6-inchシリコンフォトニクスプロセス

〇(B)中山 裕紀¹、永松 周¹、一沢 概¹、前川 永遠¹、森 莉紗子²、藤井 恭²、浅井 隆宏²、塩田 大²、大能 和人³、田邉 大二³、西山 伸彦¹、雨宮 智宏¹ (1.東京科学大学、2.東京応化工業、3.テクセンドフォトマスク)

キーワード：

シリコンフォトニクス、ナノインプリント、UV-NIL

シリコンフォトニクスの社会実装に向け、UVナノインプリントを用いた6インチウエハでの素子製造技術を実証した 。一括転写で作製した導波路は、面内で1.62～1.81 dB/cmという均一な伝搬損失を示し、電子線描画方式と同等の優れた光学特性を確認した 。本成果は、同技術が低コストな大口径プロセスとして有効であることを示している 。