講演情報
[18a-M_101-3]マイカ基板上CsPbBr3薄膜の真空共蒸着プロセスのRHEEDその場観察
〇番口 悠太郎1、五月女 真人1、近藤 高志1,2 (1.東大工、2.東大先端研)
キーワード：
ペロブスカイト半導体、真空蒸着、RHEED
全無機金属ハライドペロブスカイトCsPbBr3の真空共蒸着プロセスにおいて、反射高速電子線回折法(RHEED)によって薄膜成長のその場観察を行った。島状成長を示すスポット状の像や準2D成長を示すストリーク状の像が得られ、成長後AFM像で面内配向ロッド状成長が観察された。また、RHEED像から求まる格子定数からCsPbBr3の面内配向成長が示唆された。