講演情報
[18a-PA1-14]光デバイス応用に向けた微細化Geの層交換と機械学習応用
〇清野 碩1、石山 隆光1、都甲 薫1 (1.筑波大理工)
キーワード：
マテリアルズ・インフォマティクス、結晶成長
層交換法により低温でも大粒径・高配向Ge薄膜を形成し、III–V半導体のエピタキシャル成長シード層として有効であることを示してきた。III–V結晶性はGe粒径・配向を継承するため、層交換条件制御が鍵である。本研究では微細パターンへ適用し擬似単結晶化を目指す。形状・寸法依存の粒成長・配向選択を機械学習で抽出し、最適パターン設計へつながる層交換挙動の自動理解枠組みを構築する。汎用基板上の低コスト化に更に貢献する。