講演情報
[18a-PA1-6]GaN-HEMTにおけるSiN絶縁膜による特性安定化効果の因果AI分析
〇栗林 壮太郎1、Jorge Gutiérrez-Gil1、椎崎 耕太郎1、山田 敦史1、多木 俊裕1、樋口 博之1、實宝 秀幸1 (1.富士通株式会社)
キーワード：
因果、XAI、GaN-HEMT
本研究では、GaN-HEMTの絶縁膜SiNがGaNエピタキシャル層に与える影響を、因果AIによって解析した。この結果、絶縁膜SiNを搭載する前はAlGaN層の膜厚によってAl組成から2DEG密度への効果が変わるが、絶縁膜SiNを搭載すると膜厚に依らずAl組成が増加すると2DEG密度が常に増加することが、実験データから自動的に発見できた。