[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-22] GaサイトをSnで置換したIGZTOバルク単結晶の輸送特性

〇光山 大樹¹、吉田 麻彩¹、平井 萌々香¹、小海 稜太郎¹、柳澤 亮人¹、宮川 宣明¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

IGZTO