セッション詳細
[18a-PA3-1~39]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2026年3月18日(水) 11:30 〜 13:00
PA3 (アリーナ (1F))
[18a-PA3-1]4H-SiC 基板上にミストCVD法を用いて成長した酸化ガリウム薄膜の構造評価
〇大宅 泰生1、宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)
[18a-PA3-2]窒素中高温度アニール処理したβ-Ga2O3基板の欠陥準位挙動
〇中野 由崇1、上田 悠貴2、佐々木 公平2、倉又 朗人2 (1.中部大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
[18a-PA3-3]合成石英基板上にミストCVD成長した酸化ガリウム薄膜における結晶構造と光学特性の成長温度依存性
〇榎 駿介1、山崎 伊織1、西川 未咲1、小山 政俊1、小池 一歩1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工業大学)
[18a-PA3-4]微細加工を施したa面サファイア基板におけるα-Ga2O3薄膜の成長
〇(M1)永所 康太朗1、若松 岳1、金子 健太郎2、田中 勝久1 (1.京大院工、2.立命館大総研)
[18a-PA3-5]Study of temperature-dependent leakage current mechanisms in β-(AlxGa1-x)2O3 Schottky barrier diodes
〇Yun Jia1, Hironori Okumura1, Yui Sasaki1, Kota Nakano1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba)
[18a-PA3-6]CSD法およびミストCVD法で成膜したGaOx薄膜の物性と紫外線応答特性の評価
〇中野 有貴1、山崎 伊織1、堀部 彰人1、小山 政俊1、小池 一歩1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大)
[18a-PA3-7]水蒸気導入スパッタリングによる極性In2O3(100)面優先成長
〇(B)酒井 智弘1、海老澤 雄一朗1、車 振赫2、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大、2.全南大)
[18a-PA3-8]リモートプラズマ式原子層堆積法における投入電力が多結晶Ga添加In2O3の電気的特性に与える影響
〇星川 輝1、幕内 宏斗1、髙橋 崇典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
[18a-PA3-9]ルチル型GeO2における表面構造安定性の理論解析
〇(B)村上 雄基1、秋山 亨1,2、河村 貴宏1,2 (1.三重大工、2.三重大ICSDF)
[18a-PA3-10]Gaドープ系ルチル型GeO2薄膜の作製と物性評価
〇西山 史桂1、猪俣 崇1、泉 宏和2 (1.稀産金属、2.兵庫県立工業技術センター)
[18a-PA3-11]Ti(acac)2(OiPr)2系ミスト CVD 法によるアモルファス TiOx成膜のQCM同時周波数・散逸解析
〇白井 肇1,2、小林 史弥2、栗原 英紀3、山本 孔明4、何 海燕4、曽根 宏隆1、佐藤 知正2、松木 伸行2、大野 俊典4 (1.埼玉大理工研、2.神奈川大工、3.SAITEC、4.天谷製作所)
[18a-PA3-12]ミストCVD法によるガラス及びサファイア基板上でのZnOの成長
〇(B)今江 隆人1、岡田 有史1 (1.京工繊大工芸)
[18a-PA3-13]Investigation into the Role of Zinc Acetate in Reducing Resistivity of Zinc Oxide Nanoparticle Layers
〇(M2)Anika Islam1, Toshiyuki Yoshida1, Yasuhisa Fujita1,2 (1.Shimane Univ., 2.SNCC)
[18a-PA3-14]Pressure-Dependence Thermal Pressing Effect on the Resistivity of Nitrogen Doped ZnO Nanoparticle layers
〇Shrestha Dey Monty1, Toshiyuki Yoshida1, Yasuhisa Fujita1,2 (1.Shimane University, 2.SNCC)
[18a-PA3-15]UHVスパッタエピタキシー法によるGaドープZnO層の成長
〇宮澤 幸大1、今井 大斗1、堀越 快人1、池田 陽登1、神谷 蒼士1、梅寿 孝太1、姫野 武大1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
[18a-PA3-16]スパッタ成長ZnO層のアニーリング処理
〇(B)今井 大斗1、宮澤 幸大1、池田 陽登1、堀越 快人1、朝日 勇翔1、山口 修志1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
[18a-PA3-17]深紫外レーザーアニールによるSnO2薄膜の固相エピタキシーとドーパントへの影響
〇(M1)仲野 由剛1、伊藤 新1、金子 智1,2、松田 晃史1 (1.東京科学大学、2.神奈川県産技総研)
[18a-PA3-18]基板加熱スパッタ法によるCu2O膜の配向変化
〇田中 翔1、鳥居 剛至1、高田 直侑1、山田 容士1、舩木 修平1 (1.島大自然)
[18a-PA3-19]Low-Power GaS Phototransistors with Mist-CVD-Grown Al–Ti–O Gate Dielectrics
〇(PC)Abdul A Kuddus1, Tenryu Tamura1, Keiji Ueno2, Hajime Shirai3,2, Shinichiro Mouri1 (1.Ritsumeikan Univ., 2.Saitama Univ., 3.Kanagawa Univ.)
[18a-PA3-20]NiO/ZnO系可視光透過型フレキシブル太陽電池の曲げ耐性向上に向けた堆積条件の検討
〇松井 太吾1、⼩出 祐菜1、杉⼭ 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)
[18a-PA3-21]電極間隔を変化させたZnGa2O4非晶質薄膜の電気特性
〇飯塚 知己1、小熊 佑弥1、加瀬 伶也1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)
[18a-PA3-22]GaサイトをSnで置換したIGZTOバルク単結晶の輸送特性
〇光山 大樹1、吉田 麻彩1、平井 萌々香1、小海 稜太郎1、柳澤 亮人1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
[18a-PA3-23]GaサイトをInで置換したIGZO-13の輸送特性
〇山崎 優樹1、漆間 由都1、平井 萌々香1、小海 稜太郎1、井上 禎人1、加瀬 直樹1、柳澤 亮人1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
[18a-PA3-24]Electrical and optical characterization of PAMBD-deposited GZO transparent conductive films
〇(M1)YI OUYANG1,2, WARAKU KUROSAWA1, TSUTOMU MURANAKA1, YOICHI NABETANI1 (1.Yamanashi Univ., 2.Hangzhou Dianzi Univ.)
[18a-PA3-25]耐熱性フレキシブル基板上TFT の開発に向けたZnO 膜の特性評価
〇黒澤 和楽1、鷲巣 智裕1、村中 司1、鍋谷 暢一1、松本 俊1 (1.山梨大工)
[18a-PA3-26]スパッタリング法によるZn添加GZO膜の電気特性の面内位置依存性
〇(M1C)柴田 哲郎1、山田 容士1、舩木 修平1、佐野 心柚1 (1.島根大自然)
[18a-PA3-27]真空紫外エキシマ光溶液プロセスにおける雰囲気制御が In2O3薄膜トランジスタの伝達特性に及ぼす影響
〇上田 一輝1、落合 秀哉1、野村 卓矢1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、前元 利彦1 (1.大阪工大、2.ウシオ電機株式会社)
[18a-PA3-28]水素含有環境スパッタリングによるIn2O3系フレキシブル透明導電膜の比較
〇(B)石上 柊佑1、矢崎 結也1、松藤 由磨1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
[18a-PA3-29]MAO保護膜を有するリチウムイオン電池用セパレータの電池特性
〇宇都 大樹1、吉野 賢二1,2 (1.宮大院工、2.宮大GXセンター)
[18a-PA3-30]ニッケルと銅の複合水酸化物膜の成膜とその光触媒特性
〇安部 功二1、ギム ドウォン1 (1.名工大)
[18a-PA3-31]PVA絶縁膜を用いたトップゲートIGZOシナプストランジスタの作製および特性評価
〇笠間 祐樹1、岩澤 侑司1、相川 慎也1 (1.工学院大学工)
[18a-PA3-32]室温でスパッタ成膜したゲート絶縁膜の特性比較およびTFT実装
〇石原 洸1、中村 光我1、石井 和歩1、相川 慎也1 (1.工大工)
[18a-PA3-33]トップゲート型In-Ga-OナノシートMOSキャパシタにおける界面準位密度の定量評価
〇小笠原 成央1、上沼 睦典2、髙橋 崇典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.産総研)
[18a-PA3-34]静電スプレー堆積(ESD)法を用いて作製したSnO2系CO2ガスセンサの表面形態がガス感度に与える影響
〇関村 陸斗1、服部 汰星1、⽥中 哉多1、杉⼭ 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)
[18a-PA3-35]Pt/ZnOナノロッドヘテロ接合の電流-電圧およびパルス駆動特性
植野 廉1、〇寺迫 智昭2、矢木 正和3、山本 哲也4 (1.愛媛大工、2.愛媛大院理工、3.香川高専、4.高知工科大総研)
[18a-PA3-36]SnSO4薄膜における電気特性の湿度依存性評価と伝導機構
〇(M2)守屋 賢人1、永縄 創吉1、工藤 幸寛1、高橋 泰樹1、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大)
[18a-PA3-37]Si基板結晶方位に着目したSnOスパッタ成膜およびTFT特性評価
〇辛 佳和1、石井 和歩1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
[18a-PA3-38]NbおよびLaドーピングがSrTiO3のキャリア寿命に及ぼす影響
〇(P)Zhang Endong1、加藤 正史1 (1.名工大)
[18a-PA3-39]固相エピタキシー法による透明導電性Ta:SrSnO3薄膜の合成
〇(M1)柴田 悠翔1、岡 大地1、宮地 俊介1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)
