[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-31] PVA絶縁膜を用いたトップゲートIGZOシナプストランジスタの作製および特性評価

〇笠間 祐樹¹、岩澤 侑司¹、相川 慎也¹ (1.工学院大学工)

キーワード：

シナプスデバイス、ニューロモルフィック