[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-39] 固相エピタキシー法による透明導電性Ta:SrSnO₃薄膜の合成

〇(M1)柴田 悠翔¹、岡 大地¹、宮地 俊介¹、廣瀬 靖¹ (1.都立大院理)

キーワード：

パルスレーザー堆積法、エピタキシャル薄膜、ペロブスカイト