講演情報

[18a-PB1-15]熱化学気相成長により堆積した高分子状窒化炭素薄膜の抵抗変化メモリ特性

〇杉山慶悟¹、柳澤宙輝¹、野田啓¹ (1.慶應大理)

抵抗変化メモリ、高分子状窒化炭素

本研究では、熱CVD法により作製した g-C₃N₄ 薄膜を抵抗変化層とするメモリスタ素子を構築し、その抵抗変化メモリ特性を評価した。メモリの応用として、g-C₃N₄の材料特性と薄膜化の有効性を明らかにした。