[18a-PB3-1~10] 7 ビーム応用（ポスター）

[18a-PB3-7] CeO_x薄膜の軟X線出現電位分光における帯電の影響

〇柏倉 隆之¹、(M1)山口 泰知¹、(M1)後藤 智明¹ (1.宇都宮大工)

キーワード：

出現電位分光、帯電の影響、絶縁性の薄膜

導電性のある基板上に絶縁体のCeO_x薄膜を形成した試料についてCe M_4,5吸収端の軟X線出現電位分光（SXAPS）を行い、スペクトルに見られる帯電の影響について調べた。CeO_x薄膜の上に20 nmのAl薄膜を堆積した試料について測定したスペクトルでは、Al薄膜のない場合と比べてピーク構造が約4.5 eV低エネルギー側にシフトし、導電性カバー層による帯電の抑制が確認された。