[18a-S2_204-1~6] 23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

12:45 〜 13:00奨励賞エントリー

[18a-S2_204-6] 時間発展する系に対する潜在空間を用いた製造プロセス条件シーケンスの最適化

〇(M2)坂本 隆直¹、高石 将輝^2,3、沓掛 健太朗^1,2、原田 俊太^1,2、宇治原 徹^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.アイクリスタル)

キーワード：

機械学習、最適化、半導体

結晶成長などの製造プロセスでは、界面形状や物理場の時間変化に伴い、最適なプロセス条件も時間的に変化する。本研究では、物理場の時間発展を各時刻共通のモデルで予測し、物理場の変化の度合いをVAEにより構築した潜在空間上で評価する統一的なシーケンス最適化手法を提案した。溶液成長法によるSiC結晶成長に適用した結果、潜在空間上で初期状態に近い物理場を維持しつつ結晶成長を促進できる最適シーケンスが得られた。