セッション詳細
[18a-S2_204-1~6]23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」
2026年3月18日(水) 11:30 〜 13:00
S2_204 (南2号館)
[18a-S2_204-1]多結晶Si組織のグラフ表現を用いたPL強度予測
〇(B)Park Youngjin1、畑中 大輝2、勝部 涼司2、工藤 博章3、沓掛 健太朗2,4、宇佐美 徳隆2,4,5 (1.名大工、2.名大院工、3.名大院情報、4.名大未来研、5.名大未来機構)
[18a-S2_204-2]SiGe結晶成長における重力レベルによる対流拡散遷移の数値計算
〇(B)坪井 流聖1、宮本 奏汰1、田辺 克明1 (1.京大工)
[18a-S2_204-3]超臨界流体薄膜堆積法の高速な最適製膜条件特定のための手法論の構築(1)
〇(B)佐内 晴太郎1、小田 翔太2、橋新 剛3、赤井 一郎4、百瀬 健5 (1.熊大工、2.熊大院自、3.熊大院先端、4.熊大産ナノ研、5.熊大半導体)
[18a-S2_204-4]超臨界流体薄膜堆積法の高速な最適製膜条件特定のための手法論の構築(2)
〇小田 翔太1、佐内 晴太郎2、橋新 剛3、赤井 一郎4、百瀬 健5 (1.熊大院自、2.熊大工、3.熊大院先端、4.熊大産ナノ研、5.熊大半導体)
[18a-S2_204-5]機械学習を用いた光学干渉非接触温度測定法(OICT)による熱プラズマジェット照射熱処理中のSiCウェハのリアルタイム温度測定
〇Yu Jiawen1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
[18a-S2_204-6]時間発展する系に対する潜在空間を用いた製造プロセス条件シーケンスの最適化
〇(M2)坂本 隆直1、高石 将輝2,3、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.アイクリスタル)
