[18a-W2_401-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:45 〜 10:00

[18a-W2_401-4] 時間依存密度汎関数理論に基づくGaN中p型ドープによるホール緩和の検証

〇屋山 巴¹、宮本 良之² (1.工学院大、2.産総研)

キーワード：

III族窒化物半導体、時間依存密度汎関数理論(TDDFT)、電子状態

本研究では、時間依存密度汎関数理論(TDDFT)を用いることにより、励起電子を初期状態として、格子振動に伴いこれが緩和する様子を再現した。マグネシウム(Mg)をドープした窒化ガリウムおよび炭素置換GaNについて、電子状態の時間発展計算を行った。Mgドープにより、価電子帯直上に生じたアクセプタ準位を占有した状態を初期状態として約750Kの格子振動の下でTDDFT計算を行ったところ、500fs以上にわたって励起状態を保持する結果が得られた。