2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-W2_401-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年3月18日(水) 9:00 〜 12:00
W2_401 (西2号館)
座長：河村 貴宏(三重大)、 小田 将人(和歌山大)
9:00 〜 9:15

[18a-W2_401-1]GaN(0001)オフ基板上に有機金属気相エピタキシャル成長したAlGaN層の組成およびステップ高さから推定したGa吸着原子の表面拡散長

〇望月 和浩1、三島 友義1、堀切 文正1、太田 博1、西村 智朗1 (1.法政大)
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9:15 〜 9:30

[18a-W2_401-2]GaN(0001)上表面拡散長およびGaAs(001)上GaN MBE成長で報告された再蒸発エネルギーから求めたGa表面吸着原子のGaN(0001)上表面拡散における活性化エネルギー

〇望月 和浩1、三島 友義1、堀切 文正1、太田 博1、西村 智朗1 (1.法政大)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-W2_401-3]第一原理計算に基づく窒化ガリウム窒素空孔へ吸着するフッ素の拡散経路に関する解析

〇(M2)藤代 裕貴1、屋山 巴1、長田 貴弘2、知京 豊裕2、赤城 文子1 (1.工学院大、2.NIMS)
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9:45 〜 10:00

[18a-W2_401-4]時間依存密度汎関数理論に基づくGaN中p型ドープによるホール緩和の検証

〇屋山 巴1、宮本 良之2 (1.工学院大、2.産総研)
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10:00 〜 10:15

[18a-W2_401-5]NbAlN混晶の構造安定性に対する基板拘束の影響

〇河村 貴宏1、秋山 亨1、菊池 立貢2、黒木 颯太3、小林 篤2,3、草場 彰4、寒川 義裕4 (1.三重大院工、2.理科大院先進工、3.理科大先進工、4.九大応力研)
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10:15 〜 10:30

[18a-W2_401-6]スパッタ法を用いたAlN上へのAl添加β-Nb2Nの作製と評価

〇加藤 雄貴1、原田 尚之2、三宅 秀人3、池田 和久1、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.NIMS、3.三重大院工)
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10:45 〜 11:00

[18a-W2_401-7]スパッタ法によるGaN上へのNbNx単結晶薄膜の成長

〇児玉 竹琉1、加藤 雄貴2、池田 和久1,2、小林 篤1,2 (1.理科大先進工、2.理科大院先進工)
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11:00 〜 11:15

[18a-W2_401-8]n型InN薄膜における水素不純物状態

〇小林 正起1、山下 雄大1、平間 一行1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
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11:15 〜 11:30

[18a-W2_401-9]MOVPEによるGaInN薄膜成長におけるHeキャリアガスの影響

〇新井 雄稀1,2、齋藤 太助1,3、本田 徹2、今中 康貴1、角谷 正友1 (1.物材機構、2.工学院大、3.筑波大)
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11:30 〜 11:45

[18a-W2_401-10]ホウ素原料が有機金属気相成長BN薄膜の深紫外発光特性に与える影響

〇嶋 紘平1、辻谷 陽仁1、菅野 杜之1、秩父 重英1 (1.東北大多元研)
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11:45 〜 12:00

[18a-W2_401-11]MBEによるサファイア基板上Cu(111)薄膜上h-BN薄膜成長

〇菅原 有紡1、横山 滉人1、小豆畑 敬1、中澤 日出樹1、廣木 正伸2、平間 一行2、小林 康之1 (1.弘前大、2.NTT物性基礎研)
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