[18a-W2_401-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶 | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-W2_401-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年3月18日(水) 9:00 〜 12:00

W2_401 (西2号館)

9:00 〜 9:15

[18a-W2_401-1]GaN(0001)オフ基板上に有機金属気相エピタキシャル成長したAlGaN層の組成およびステップ高さから推定したGa吸着原子の表面拡散長

〇望月和浩¹、三島友義¹、堀切文正¹、太田博¹、西村智朗¹ (1.法政大)

9:15 〜 9:30

[18a-W2_401-2]GaN(0001)上表面拡散長およびGaAs(001)上GaN MBE成長で報告された再蒸発エネルギーから求めたGa表面吸着原子のGaN(0001)上表面拡散における活性化エネルギー

〇望月和浩¹、三島友義¹、堀切文正¹、太田博¹、西村智朗¹ (1.法政大)

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-W2_401-3]第一原理計算に基づく窒化ガリウム窒素空孔へ吸着するフッ素の拡散経路に関する解析

〇(M2)藤代裕貴¹、屋山巴¹、長田貴弘²、知京豊裕²、赤城文子¹ (1.工学院大、2.NIMS)

9:45 〜 10:00

[18a-W2_401-4]時間依存密度汎関数理論に基づくGaN中p型ドープによるホール緩和の検証

〇屋山巴¹、宮本良之² (1.工学院大、2.産総研)

10:00 〜 10:15

[18a-W2_401-5]NbAlN混晶の構造安定性に対する基板拘束の影響

〇河村貴宏¹、秋山亨¹、菊池立貢²、黒木颯太³、小林篤^2,3、草場彰⁴、寒川義裕⁴ (1.三重大院工、2.理科大院先進工、3.理科大先進工、4.九大応力研)

10:15 〜 10:30

[18a-W2_401-6]スパッタ法を用いたAlN上へのAl添加β-Nb₂Nの作製と評価

〇加藤雄貴¹、原田尚之²、三宅秀人³、池田和久¹、小林篤¹ (1.理科大院先進工、2.NIMS、3.三重大院工)

10:45 〜 11:00

[18a-W2_401-7]スパッタ法によるGaN上へのNbN_x単結晶薄膜の成長

〇児玉竹琉¹、加藤雄貴²、池田和久^1,2、小林篤^1,2 (1.理科大先進工、2.理科大院先進工)

11:00 〜 11:15

[18a-W2_401-8]n型InN薄膜における水素不純物状態

〇小林正起¹、山下雄大¹、平間一行¹、谷保芳孝¹ (1.NTT物性研)

11:15 〜 11:30

[18a-W2_401-9]MOVPEによるGaInN薄膜成長におけるHeキャリアガスの影響

〇新井雄稀^1,2、齋藤太助^1,3、本田徹²、今中康貴¹、角谷正友¹ (1.物材機構、2.工学院大、3.筑波大)

11:30 〜 11:45

[18a-W2_401-10]ホウ素原料が有機金属気相成長BN薄膜の深紫外発光特性に与える影響

〇嶋紘平¹、辻谷陽仁¹、菅野杜之¹、秩父重英¹ (1.東北大多元研)

11:45 〜 12:00

[18a-W2_401-11]MBEによるサファイア基板上Cu(111)薄膜上h-BN薄膜成長

〇菅原有紡¹、横山滉人¹、小豆畑敬¹、中澤日出樹¹、廣木正伸²、平間一行²、小林康之¹ (1.弘前大、2.NTT物性基礎研)

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