[18a-W8E_101-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45

[18a-W8E_101-3] QF-HVPEで成長した高純度GaNの特性評価

〇金木 奨太¹、藤倉 序章¹ (1.住友化学)

キーワード：

GaN、移動度、HVPE

我々はこれまで成長部から石英部材を排除したQuartz-free HVPE(QF-HVPE)を開発し高純度なGaN結晶について報告してきた。QF-HVPEに最適化された量産装置の開発について前回報告したが、成長条件の最適化により室温移動度1,689cm2/Vs, 低温最高移動度24,399cm2/Vsを観測したため諸特性と併せて報告する。