2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-W8E_101-1~12]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年3月18日(水) 9:00 〜 12:15
W8E_101 (西8号館)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[18a-W8E_101-1]Fe/C共ドープ及びMnドープ半絶縁性GaN基板を用いた光伝導型スイッチの特性比較

〇李 晉維1、磯 憲司2、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大工、2.三菱ケミカル株式会社)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[18a-W8E_101-2]GaN/sapphire基板上スパッタ成長ScAlN薄膜のリーク電流の温度依存性解析

〇城谷 光亮1、佐藤 早和紀2、小林 篤2、前田 拓也1 (1.東大工、2.東京理科大)
9:30 〜 9:45

[18a-W8E_101-3]QF-HVPEで成長した高純度GaNの特性評価

〇金木 奨太1、藤倉 序章1 (1.住友化学)
9:45 〜 10:00

[18a-W8E_101-4]陽電子線励起によるGaN 基板のルミネッセンス評価

〇堀切 文正1、中村 俊博1、栗山 一男1、三島 友義1、西村 智朗1、木野村 淳2 (1.法政大、2.京大)
10:00 〜 10:15

[18a-W8E_101-5]Si基板上導電性歪超格子層におけるδドープ位置変更による縦型GaNショットキーダイオードの導電性向上

〇中島 匠馬1、久保 俊晴1、南條 拓真1、江川 孝志1 (1.名工大工)
10:15 〜 10:30

[18a-W8E_101-6]急速熱アニール後に多重照射パルスレーザアニールを行ったSiイオン注入GaNの電気特性評価

〇宮嶋 孝夫1、西垣 有紘1、大野 峻太郎1、杉本 麻水1、南 柚香2、島崎 好広2、寅丸 雅光2、神 好人2、冨田 一義3、今井 大地1 (1.名城大理工、2.日本製鋼所、3.名大IMaSS)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[18a-W8E_101-7]n型GaNショットキー接合へのGaOx界面層挿入による双極子形成

〇坂居 瞭1、原 征大1、野﨑 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
11:00 〜 11:15

[18a-W8E_101-8]Ga酸化膜/GaN界面構造の原子分解能解析

〇狩野 絵美1、服部 柊人1、白石 賢二2、押山 淳2、成田 哲生3、加地 徹1、五十嵐 信行1 (1.名大、2.東北大、3.豊田中研)
11:15 〜 11:30

[18a-W8E_101-9]UVA光とUVC光を用いた光電気化学エッチングによるGaNナノワイヤ作製

〇古内 久大1,2、佐藤 威友1,2、本久 順一1,2 (1.北大院情、2.北大量集セ)
11:30 〜 11:45

[18a-W8E_101-10]表面分析におけるArイオンエッチングがGaN表面に与える影響

〇五十嵐 陽彦1、安居 麻美1、浅原 千鶴1、日高 遥香1、坂田 智裕1 (1.TRC)
11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[18a-W8E_101-11]電気化学エッチングによる N 極性面 GaN の表面形態変化の調査

〇(B)森山 達也1、横井 創吾2、宇佐美 茂佳2、今西 正幸2、横山 正史3、重川 直輝4、滝野 淳一5、隅 智亮5、岡山 芳央5、秦 雅彦6、田中 敦之7、本田 善央7、天野 浩7、丸山 美帆子2、吉村 政志8、森 勇介2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.住友化学（株）、4.大阪公立大、5.パナソニックホールディングス（株）、6.伊藤忠プラスチックス(株)、7.名大未来研、8.阪大レーザー研)
12:00 〜 12:15

[18a-W8E_101-12]GaN-on-Diamond 基板の作製に向けた OVPE-GaN 基板の GaN エピ層からの電気化学エッチングによる選択エッチング

〇横山 正史1、飯村 清寿1、森山 達也2、横井 創吾3、宇佐美 茂佳3、今西 正幸3、重川 直輝4、滝野 淳一5、隅 智亮5、岡山 芳央5、田中 敦之6、本田 善央6、天野 浩6、森 勇介3 (1.住友化学株式会社、2.大阪大学工学部、3.大阪大学大学院工学研究科、4.大阪公立大学工学研究科、5.パナソニックホールディングス株式会社、6.名古屋大学未来材料・システム研究所)
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