[18a-WL1_201-1~8] 6.4 薄膜新材料

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[18a-WL1_201-1] 高結晶性LiHエピタキシャル薄膜の合成と基礎物性評価

〇齋藤 謙太¹、河原 幸生¹、福士 英里香¹、大口 裕之¹、間嶋 拓也²、原田 尚之³ (1.芝浦工大理工、2.京大院工、3.NIMS)

キーワード：

金属水素化物、薄膜

水素化物薄膜の物性開拓を目指し、MgO(100)上にラジカル水素反応性赤外レーザー蒸着でLiHエピタキシャル薄膜を合成し、成膜条件と結晶性の相関と基礎物性を調べた。基板温度150→250℃で合成し、LiH(200)ロッキングカーブ半値幅0.3037°を得た。また、ERDAでほぼ両論組成かつ不純物のない単相膜であり、UV-visでバンドギャップEg=4.8 eV、SEM・EBSDで平坦性と完全な(100)配向を確認した。