[18a-WL1_201-1~8] 6.4 薄膜新材料

11:00 〜 11:15

[18a-WL1_201-6] 高感度ひずみセンサCr-N薄膜における低TCR特性の起源としての半金属的挙動

〇丹羽 英二¹、佐々木 祥弘¹、梅津 理恵² (1.電磁研、2.東北大金研)

キーワード：

Cr-N薄膜、抵抗温度係数、半金属

Cr-N薄膜はゲージ率が12～16と大きく抵抗温度係数（TCR）をほぼゼロに制御可能な優れた特性を有する新規高感度ひずみセンサ材料である。大きなゲージ率はCrの反強磁性に由来するが，低TCRの起源は明らかでない。そこで極低温から室温に至る温度変化に対するCr-N薄膜の抵抗値挙動を調べた。その結果，半金属と報告されたCr-Alと同様の抵抗変化挙動を示した。Cr-N薄膜の低TCRもそのような半金属的挙動に起因すると考えられる。