[18a-WL1_201-1~8] 6.4 薄膜新材料

11:30 〜 11:45

[18a-WL1_201-8] KrFエキシマレーザーアニールによるITO薄膜の結晶化過程

〇薮田 久人^1,2、佐藤 舞起¹、GUO DONGYANG¹、宮田 翔¹、植月 信之介¹、片山 慶太^1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)

キーワード：

エキシマレーザーアニール、透明導電膜、固相結晶化

高繰返し周波数で照射可能なKrFエキシマレーザーを用いたレーザーアニールによるITO薄膜(100 nm)の結晶化プロセスの検討を行った。フルエンス60 mJ/cm², 繰返し周波数2000 Hzの条件では、1200回の照射でITO薄膜の結晶化が開始され、2000回の照射でアモルファス相が消失し、[111]優先配向の多結晶膜に変化するという過程をX線回折測定により確認した。