[18a-WL2_101-1~11] 13.8 光物性・発光デバイス

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[18a-WL2_101-7] Eu添加GaNマイクロLED構造の設計指針の検討

〇久保 穂高¹、樋之口 裕也²、森 恵人¹、藤原 康文³、小島 一信¹、市川 修平^1,4 (1.阪大院工、2.阪大工、3.立命館大総研、4.阪大電顕センター)

キーワード：

希土類添加半導体、マイクロLED、Eu添加GaN

高精細・高輝度三原色マイクロLEDの実現にむけて、Eu添加GaN (GaN:Eu)が注目を集めている。GaN:Eu は、微細化に伴う表面再結合起因の量子効率低下が抑制される一方で、20 μm角以下の素子サイズでは内部量子効率の低下が観測されている。このような微細素子では、表面再結合の影響のみならず、自由表面の露出による歪緩和によってEuイオンの励起効率が変化する可能性が示唆されている。そこで本研究では、歪緩和に着目し、発光特性の評価を行った。