講演情報
[18a-WL2_301-8]ScAlMgO4基板上RF-MBE成長GaN極薄膜のTHz-TDSEによる電気特性および膜厚測定
〇藤井 高志1,2、土田 海渡1、岩本 俊志2、中本 トラン1、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン)
キーワード：
テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリ、GaN、ScAlMgO4
ScAlMgO4単結晶基板上にRF-MBE法を用いてGaN極薄膜を成長し、THz-TDSEにより電気特性と膜厚の測定を行った。従来のFresnel式とDrude式に特性インピーダンスを考慮して、膜厚800nm程度までの測定に成功している。今回は膜厚370nmのGaN測を成長し測定を行った。しかしながら、電気特性の測定は行えたが膜厚を求めることができなかった。この要因の検討について報告する。