[18a-WL2_401-1~11] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[18a-WL2_401-5] Ge₂Sb₂Te₃S₂光強度変調器を用いた低クロストーク1×2シリコンMZI光スイッチ

〇(M2)小林 研二¹、宮武 悠人¹、唐 睿¹、牧野 孝太郎²、畑山 祥吾²、岡野 誠²、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：

シリコンフォトニクス、光スイッチ、相変化材料

本研究では、ワイドギャップ相変化材料であるGe₂Sb₂Te₃S₂光強度変調器を用いた終端吸収型1×2 MZI光スイッチを提案する。本方式では、MZIの出力導波路終端にGSTSを集積し、オフポート側のGSTSを結晶化させることで漏れ光を終端で吸収する。これにより、従来方式と比較して大幅な低クロストーク化が可能となり、大規模シリコンフォトニクス光スイッチに適した基本素子であると考えられる。